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标题: 【电报解读】芯片巨头斥资121亿元扩大第三代半导体产能，中国该行业总产值超7000亿... [打印本页]

作者: 股票王 时间: 2022-7-16 11:39
标题: 【电报解读】芯片巨头斥资121亿元扩大第三代半导体产能，中国该行业总产值超7000亿...
芯片巨头斥资121亿元扩大第三代半导体产能，中国该行业总产值超7000亿元，这家公司已经签订3年15万片供货合同

【英飞凌进一步扩大马来西亚第三代半导体产能】14日讯，日前，英飞凌马来西亚居林第三工厂举行奠基仪式，该项目总投资额超过80亿令吉（约合121.2亿元人民币），将用于第三代半导体碳化硅、氮化镓产品生产，2024年Q3有望投产。

概念解读

第三代半导体材料为氮化镓GaN、碳化硅SiC、氧化锌ZnO、金刚石C等，其中氮化镓GaN、碳化硅SiC为主要代表。在禁带宽度、介电常数、导热率及最高工作温度等方面氮化镓GaN、碳化硅SiC性能更为出色，在5G通信、新能源汽车、光伏等领域头部企业逐步使用第三代半导体。

数据解读

从整体产值规模来看，根据中国汽车电子基础软件自主研发与产业化联盟（CASA）数据，我国第三代半导体整体产值超过7100亿。其中，半导体照明整体产值预计7013亿元，受新冠疫情影响较2019年下降7.1%；SiC、GaN电力电子产值规模达44.7亿元，同比增长54%；GaN微波射频产值达到60.8亿元，同比增长80.3%。

从渗透率角度来看，根据Yole数据显示，Si仍是半导体材料主流，占比95%。第三代半导体渗透率逐年上升，SiC渗透率在2023年有望达到3.75%，GaN渗透率在2023年达到1.0%，第三代半导体渗透率总计4.75%。

券商观点

华纳证券胡杨研报认为，硅（Si）是目前技术最成熟、使用范围最广、市场占比最大的衬底材料，近年来硅材料的潜力已经开发殆尽，在高压、高频、高温领域以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体衬底材料市场规模有望迎来快速发展。

浙商证券分析指出，长期来看，伴随着SiC尺寸的提升、晶片良率的提升，SiC衬底的生产成本有望下降，从而带动SiC整体器件价格的下行，而这也将成为SiC渗透率进一步提升、大规模应用的关键。未来SiC衬底的低成本化将是SiC行业需求爆发的关键所在。

产业链相关公司

露笑科技已与下游外延片厂商东莞市天域半导体科技有限公司签订《战略合作协议》，2022年、2023年、2024年合计为东莞天域预留6英寸导电型碳化硅衬底片产能不少于15万片，目前公司6英寸碳化硅衬底晶片已形成销售。

新洁能从2015年开始布局第三代半导体，1200V新能源汽车用SiC MOS平台开发进行顺利，1200V SiC MOSFET首次流片验证完成，产品部分性能达到国内先进水平。

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