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标题: 两大半导体巨头同时瞄准这一领域！望驱动产业链受益 [打印本页]

作者: 股票王 时间: 2020-7-7 17:15
标题: 两大半导体巨头同时瞄准这一领域！望驱动产业链受益
   财联社（上海，研究员吴悠）讯，据媒体报道，存储器两大巨头三星、SK海力士近日瞄准NAND Flash事业，展开布局投资。

   据韩媒中央日报消息，三星平泽园区P2，日前开始执行NAND产线投资。另外，三星西安NAND厂二期总约150亿美元投资，第一阶段70亿美元的25个项目完工，第二阶段80亿美元投资，预计2021年完工。

   三星正式启动平泽P2的NAND产线建设，5月已着手建立无尘室，计划2020年下半年投产。SK海力士近日同样积极布局NAND事业，并且宣布将采取超品格战略，即强化技术实力，扭转目前市场劣势，缩短落后差距。

   另外，SK海力士日前订立2020年发展愿景，包括在NAND领域展开快速追赶。SK海力士已进入堆叠128层NAND量产，目前正积极开发堆叠176层产品。

   根据WSTS统计，存储器占集成电路市场的36.1%，高于逻辑、模拟和微处理器份额。DRAM领域呈现寡头垄断格局，三星、海力士、美光共占比高达95%。

   其中NAND Flash占存储器细分领域的44%，且行业集中度极高，目前产能主要集中在三星、SK海力士、美光等。业内人士表示，三星、SK海力士两大巨头积极布局投资，望驱动产业链公司受益。

   国产替代迫在眉睫

   DRAM领域呈现寡头垄断格局，存储器国产化迫在眉睫。

   6月20日，国家存储器基地项目二期开工建设。国家存储器基地项目于2016年12月30日开工，计划分两期建设3DNAND闪存芯片工厂，总投资240亿美元。一期主要实现技术突破，建成10万片/月产能，二期规划产能20万片/月，两期项目达产后月产能共计30万片。

   国信证券欧阳仕华指出，存储器产业从趋势上看，DRAM和NAND均处于技术快速突破阶段，预计下半年DRAM1Z制程以及NAND新代产品将会量产。国产内存颗粒生产的内存模组产品已经开始上市销售，显示国内存储芯片产业正处于0到1的突破阶段。

   东莞证券魏红梅认为，5G手机换机潮和IDC建设升级对存储设备所形成的需求端具有较高确定性，有望带动NAND Flash需求迎来新一轮增长。

   财联社梳理相关上市公司：

   太极实业：公司子公司海太半导体从事半导体产品的封装、封装测试、模组装配和模组测试等业务，为SK海力士提供服务。

   新莱应材：公司半导体FAB厂以及工程公司客户包括长江存储、SK海力士（无锡）等。

   兴森科技：公司是国内IC载板龙头企业，2018年9月正式通过三星认证正式通过三星认证，成为大陆本土唯一的三星存储IC封装基板供应商。

   深科技：国有控股的最大DRAM内存芯片封装测试公司，DRAM封测年产能3亿颗，公司在存储器DRAM方面具备世界最新一代的产品封测技术。

   紫光国微：存储芯片业务主要是DRAM存储芯片，2018年实现销售收入6.45亿元。

   华天科技：具备LPDDR4存储4叠层封装等高端存储器封装技术，并与武汉新芯达成深度合作。实现了Nor Flash、3D NAND、DRAM产品的批量封装，客户包括长江存储。

作者: czy112 时间: 2020-7-8 21:08
谢谢分享

作者: papagm 时间: 2020-7-20 07:19
谢谢分享

作者: GCL8848 时间: 2020-8-17 19:43
两大半导体巨头同时瞄准这一领域

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